[22a-E204-1~9] 6.3 Oxide electronics

△ [22a-E204-8] Phase control of vanadium oxides by uniaxial compression annealing of V₂O₅ epitaxial thin films

〇Hiroki Shoji¹, Kenta Kaneko¹, Tomoaki Oga¹, Satoru Kaneko^2,1, Mamoru Yoshimoto¹, Akifumi Matsuda¹ (1.Tokyo Tech, 2.KISTEC)

Keywords:epitaxial thin film, vanadium oxide, phase control

酸化バナジウムはV²⁺〜V⁵⁺までの酸化状態を示し、多様なデバイスへの応用が期待されている。我々はこれまでに、非晶質V₂O₅薄膜に対して一軸圧縮熱処理(UCA)を行うことにより、還元相の相選択的固相エピタキシーについて報告してきた。本研究では、前駆体薄膜としてエピタキシャル薄膜を用いた構造・方位関係を継承した相制御を目的として、V₂O₅エピタキシャル薄膜のUCAによる結晶相変化と印加圧力による相制御および物性への影響を検討した。