[22a-E204-1~9] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [22a-E204-8] V₂O₅エピタキシャル薄膜の真空中一軸圧縮熱処理による結晶相制御

〇庄司 拓貴¹、金子 健太¹、大賀 友瑛¹、金子 智^2,1、吉本 護¹、松田 晃史¹ (1.東工大物質理工、2.神奈川県産技総研)

キーワード：エピタキシャル薄膜、酸化バナジウム、相制御

酸化バナジウムはV²⁺〜V⁵⁺までの酸化状態を示し、多様なデバイスへの応用が期待されている。我々はこれまでに、非晶質V₂O₅薄膜に対して一軸圧縮熱処理(UCA)を行うことにより、還元相の相選択的固相エピタキシーについて報告してきた。本研究では、前駆体薄膜としてエピタキシャル薄膜を用いた構造・方位関係を継承した相制御を目的として、V₂O₅エピタキシャル薄膜のUCAによる結晶相変化と印加圧力による相制御および物性への影響を検討した。