[22a-E303-1~9] 3.15 シリコンフォトニクス・集積フォトニクス

[22a-E303-5] マッハ・ツェンダ型シリコン光変調器のデュアル駆動によるチャープ可変量の理論的検討

〇村尾 覚志¹、牛田 淳¹、高橋 博之¹、徳島 正敏¹、椎名 明美¹、堀川 剛¹ (1.PETRA)

キーワード：シリコンフォトニクス、光変調器、ウェーハレベルテスト

線形位相シフタを有するマッハ・ツェンダ（MZ）型LN光変調器では，デュアル駆動時のチャープパラメータはよく理解されているが，変調効率（ME）と吸収損失が電圧依存性を有するシリコンの場合については理論が確立されていなかった．ここでは，キャリア空乏MZ型シリコン光変調器について，提案する大信号MEを用いることで定式化を行う．デュアル駆動によって生じる負チャープとOMAペナルティとの関係を明らかにする．