[22a-F308-1~10] 2.1 検出器デバイス開発

[22a-F308-10] 陽子線照射中におけるGaN ダイオードの電気的特性の劣化推移

〇奥村 宏典¹、外川 学²、宮原 正也²、西永 慈郎³、井村 将隆⁴、磯部 忠昭⁵ (1.筑波大数理、2.高エネ研、3.産総研、4.物材研、5.理研)

キーワード：GaN、陽子線、ダイオード

窒化ガリウム(GaN)は、はじき出し損傷エネルギーが大きく、電子正孔対の生成確率が大きいこ
とから、長寿命の放射線検出器用材料の一つに挙げられる。しかし、高放射線環境におけるGaN
素子の電気的特性を、実験的に調べた報告は寡少である。本研究では、最大7 MGy の陽子線を
GaN ショットキ障壁ダイオード(SBD)に照射し、電気的特性の劣化推移をリアルタイムで調べた。