[22a-F308-1~10] 2.1 検出器デバイス開発

[22a-F308-5] III族窒化物半導体検出器の高温耐性評価

〇林 幸佑¹、中川 央也²、川崎 晟也³、出来 真斗⁴、本田 善央⁴、天野 浩⁴、井上 翼¹、青木 徹²、中野 貴之^1,2 (1.静大院工、2.静大電研、3.名大院工、4.名大 IMass)

キーワード：GaN、半導体検出器、放射線検出器