[22a-P01-1~10] 1.3 Novel technologies and interdisciplinary engineering

[22a-P01-8] Micarofabrication of single-cell isolation plates and microfluidic devices by KOH etching using Si amorphized mask by Ar⁺beam irradiation

〇Mina Sato¹, Mie Tohnishi¹, Akihiro Matsutani¹ (1.Tokyo Tech.)

Keywords:KOH etching, Si, ECR ion shower

FIB装置を用いて数十keVのGa^＋をSi基板表面に照射した際，アモルファス化によりKOH溶液によるエッチング耐性を示すことが知られているが，その場合には微小範囲のアモルファス化にとどまる．そこで，本発表ではECRイオンシャワー装置を用いてAr^＋ビームを試料に照射し，Si表面をアモルファス化し，KOHエッチングにより単一細胞分離プレートを作製した結果について報告する．また，マイクロ流路を作製した結果については当日報告する．