The 69th JSAP Spring Meeting 2022

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.8 Optical properties and light-emitting devices

[22p-D316-1~16] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

Tue. Mar 22, 2022 1:00 PM - 5:15 PM D316 (D316)

Yasushi Nanai(National Defense Academy), Jun Tatebayashi(Osaka Univ.)

2:00 PM - 2:15 PM

[22p-D316-5] Deep-Red to Near-Infrared Luminescence from Eu2+-Trapped Exciton State in YSiO2N

〇Yuuki Kitagawa1, Jumpei Ueda1, Jian Xu2, Takayuki Nakanishi2, Takashi Takeda2, Naoto Hirosaki2, Setsuhisa Tanabe1 (1.Kyoto Univ., 2.NIMS)

Keywords:impurity-trapped exciton, Eu2+, Near-infrared phosphor

Eu2+およびEu3+が共添加された酸窒化物YSiO2Nにおいて,室温以下の低温において550–1100 nmの非常に広帯域にわたる深赤色~近赤外発光を見出した。主要なEu2+添加酸窒化物蛍光体と比較しても特異的に長波長シフトした発光であり,ストークスシフトも非常に大きいことから,Eu2+束縛励起子(ETE)状態の輻射再結合に帰属される。エネルギー図から,すべてのEu2+: 5d励起準位が伝導帯下端と縮退した結果,ETE発光が観測されたことが示唆される。