[22p-E202-1~16] 15.4 III-V-group nitride crystals

[22p-E202-1] [The 43rd JSAP Paper Award Speech] Thermionic emission and conversion properties of n-type AlGaN cathodes

〇Shigeya Kimura¹, Hisashi Yoshida¹, Uchida Shota², Ogino Akihisa² (1.Toshiba Corporation, 2.Shizuoka Univ,)

Keywords:AlGaN, Thermionic converter, wide-bandgap semiconductor

n型AlGaN/n型SiCヘテロ構造による熱電子放出源(カソード)を開発し、従来の金属カソードを用いた場合(>1000℃)に比べて圧倒的に低い～200℃での熱電子放出を観測した。また、開発したカソードと真空ギャップ、金属アノードで構成した熱電子発電素子を封入したガス封止型熱電子発電機器のプロトタイプを試作し、外部加熱温度120℃からの起電力、270℃からの短絡電流がそれぞれ発生していることを確認した。