[22p-E202-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

[22p-E202-1] [第43回優秀論文賞受賞記念講演] n型AlGaNカソードによる熱電子放出の低温化と熱電子発電の実証

〇木村 重哉¹、吉田 学史¹、内田 翔太²、荻野 明久² (1.東芝研究開発センター、2.静岡大)

キーワード：AlGaN、熱電子発電、ワイドバンドギャップ半導体

n型AlGaN/n型SiCヘテロ構造による熱電子放出源(カソード)を開発し、従来の金属カソードを用いた場合(>1000℃)に比べて圧倒的に低い～200℃での熱電子放出を観測した。また、開発したカソードと真空ギャップ、金属アノードで構成した熱電子発電素子を封入したガス封止型熱電子発電機器のプロトタイプを試作し、外部加熱温度120℃からの起電力、270℃からの短絡電流がそれぞれ発生していることを確認した。