[22p-E202-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [22p-E202-14] 赤色領域におけるIII族窒化物系フォトニック結晶共振器の高Q値化 (>10,000)

〇岩谷 孟学¹、市川 修平^1,2、Dolf Timmerman¹、舘林 潤¹、藤原 康文¹ (1.阪大院工、2.阪大超高圧電顕センター)

キーワード：フォトニック結晶ナノ共振器、III族窒化物半導体、GaN:Eu

III族窒化物半導体を用いた2次元フォトニック結晶共振器は、量子情報通信や低しきい値レーザなど様々な応用可能性を持つ一方で、高Q値の実現が課題となっている。我々はこれまでに、H3型共振器を用いて、既存の報告では最大となる7900のQ値を実現したと報告した。本研究では、さらなる高Q値化に向けて2次元的なヘテロ構造を持つ共振器を設計・作製し、10,000を超える高Q値を実現したので報告する。