[22p-E202-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

[22p-E202-2] Pt/Ti櫛型電極を担持したGaN光触媒の検証

〇落合 貴也¹、山口 信義²、嶺岸 耕²、杉山 正和^1,2 (1.東大院工、2.東大先端研)

キーワード：GaN、光触媒、水素

水分解反応を行う光触媒の表面は助触媒と呼ばれる触媒で表面を修飾する必要がある。Ptは代表的な水素生成助触媒であるが、Ptとn型半導体はショットキー接合を形成することから、光励起された電子がPtに移動、水素生成することは困難であると考えられる。今回、n型GaN上に助触媒としてPtおよびPt/Tiの櫛型電極を形成、GaNと助触媒の接合が水分解反応にどのような影響を与えるかを検証した。