[22p-E202-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

[22p-E202-7] レーザスライス技術を用いて剥離したGaN on GaN HEMTの評価

〇田中 敦之¹、杉浦 隆二²、河口 大祐²、和仁 陽太郎²、渡邉 浩崇¹、瀬奈 ハディ¹、安藤 悠人³、本田 善央¹、伊ケ崎 泰則²、分島 彰男⁴、安藤 裕二¹、天野 浩¹ (1.名大 IMaSS、2.浜松ホトニクス、3.ジョージア工科大、4.名工大)

キーワード：窒化ガリウム、レーザスライス、高電子移動度トランジスタ

GaN on GaN デバイスの普及が進んでいない理由の一つとしてGaN基板の価格が非常に高いことがあげられる。我々はこの課題を解決するため、カーフロスの少ない方法としてレーザを用いたGaN基板のスライスに取り組んできた。今回このレーザスライスの有用性・プロセス親和性を確かめるためHEMTを形成した後の基板に対してレーザスライスを行ったので、その結果について報告する。