[22p-E204-1~13] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [22p-E204-4] 真空紫外光照射によるNiOエピタキシャル薄膜の導電性制御と結晶配向面依存性

〇金子 健太¹、庄司 拓貴¹、大賀 友瑛¹、金子 智^2,1、吉本 護¹、松田 晃史¹ (1.東工大物質理工、2.神奈川県産技総研)

キーワード：酸化ニッケル、真空紫外光、エピタキシャル薄膜

ドーパントフリーのNiOエピタキシャル薄膜に関して、Xe₂*エキシマランプを用いた真空紫外光照射が薄膜構造および物性に与える影響について検討した。NiOエピタキシャル薄膜は、NiO焼結体ターゲットを用いたPLD法によって、SrTiO₃(111), (110),(100)基板上に堆積し、XRD、AFM、RHEEDにより評価した。得られた薄膜に対して、大気中での真空紫外光照射により、顕著な導電性向上が確認された。講演では、成膜条件、結晶配向面による影響についても報告する。