[22p-E302-1~15] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

[22p-E302-1] [第12回化合物半導体エレクトロニクス業績賞（赤﨑勇賞）受賞記念講演] SiCパワー半導体の進展と将来展望

〇木本 恒暢¹ (1.京大工)

キーワード：SiC、パワーデバイス

SiCパワーデバイス(MOSFET, ショットキー障壁ダイオード)の実用化が進み，各種機器で顕著な省エネ効果が示されている。著者はSiC半導体の黎明期に本研究に着手し，結晶成長，物性解明，欠陥低減などの材料研究から，デバイス作製プロセス，各種デバイスの設計と実証に亘る基礎研究に従事する機会を得た。本講演では，SiCパワーデバイスの進展を著者の視点で概説した後，SiCパワー半導体の将来展望と課題について述べる。