[22p-E302-1~15] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

[22p-E302-13] 高移動度3C-SiC n-MOSFETの作製と高温動作実証

〇山本 圭介¹、王 冬¹、中島 寛¹、菱木 繁臣²、浦谷 泰基²、坂井田 佳紀²、川村 啓介² (1.九州大学、2.エア・ウォーター)

キーワード：3C-SiC、MOSFET、gate stack