[22p-E302-1~15] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

[22p-E302-2] [第43回解説論文賞受賞記念講演] Recent development of vertical GaN power devices

〇岡 徹^1,2 (1.豊田合成、2.名古屋大学)

キーワード：窒化ガリウム、パワーデバイス

本講演では、GaN基板上縦型GaNパワーデバイスの開発の現状、ならびに弊社開発ショットキーバリアダイオード(SBD)・トレンチMOSFET技術、およびそれらの回路応用事例についてご紹介する。また、実用化に向けての課題についても合わせて述べる。