[22p-E302-1~15] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

[22p-E302-3] [第43回解説論文賞受賞記念講演] SiCパワーデバイス開発における欠陥制御の重要性

〇渡部 平司¹、木本 恒暢² (1.阪大院工、2.京大院工)

キーワード：炭化ケイ素、パワーデバイス、MOSデバイス