[22p-E302-1~15] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

[22p-E302-7] 窒素イオン注入チャネル層を有するノーマリオフβ-Ga₂O₃ MOSトランジスタ

〇宮本 広信¹、小石川 結樹¹、脇本 大樹¹、佐々木 公平¹、倉又 朗人¹ (1.ノベルクリスタルテクノロジー)

キーワード：酸化ガリウム、トレンジスタ、移動度

窒素イオン注入層をチャネルとする反転MOSチャネル型β-Ga₂O₃ MOSFETを開発した。作製したMOSFETは高いしきい値電圧+6.2 Vと高い電界効果移動度52 cm²/Vsを示し良好なノーマリオフ特性が得られた。