[22p-E303-1~13] 3.15 Silicon photonics and integrated photonics

[22p-E303-10] Fundamental investigation of dry-etching condition for Si/SiO₂high-mesa waveguide etching

〇Yuta Shimamura¹, Ryota Kuwahata¹, Tetsuo Tabei², Haisong Jiang¹, Kiichi Hamamoto¹ (1.Kyushu Univ., 2.Hiroshima Univ.)

Keywords:High-mesa waveguide, Dry-etching

日常的な健康モニタリングシステムとして、小型呼気センシングシステムを研究開発している。小型化のために光導波路型ガスセルを提案しており、導波路構造としてSi/SiO₂ハイメサ導波路の適用を検討している。そこで、SOI基板上へのセンシング導波路と他の機能素子との光集積回路実現を目指し、ハイメサ形成に必要となる SiO2ドライエッチング条件の基礎検討を行ったので報告する。