[22p-F308-1~13] 2.1 検出器デバイス開発

[22p-F308-6] 耐高温中性子半導体検出器に向けた新規BGaNデバイスの作製

〇中村 大輔¹、西川 瞬¹、小関 凌也¹、林 幸佑¹、川崎 晟也²、權 熊²、若林 源一郎³、本田 善央⁴、天野 浩⁴、井上 翼¹、青木 徹⁵、中野 貴之^1,5 (1.静大院工、2.名大院工、3.近大原研、4.名大IMaSS、5.静大電研)

キーワード：GaN、放射線検出器、半導体検出器