[22p-F408-1~14] 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

[22p-F408-3] Fabrication of simple back-contact Si heterojunction solar cells using polycrystalline Si films formed by crystallizing Cat-CVD hydrogenated n-a-Si films by FLA

〇Zheng WANG¹, Huynh Thi Cam Tu¹, Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST)

Keywords:Thin film silicon

Cat-CVD水素化n-a-Si膜へのFLAにより形成したn-poly-Si膜の可能性を調べるために、簡易裏面電極型Siヘテロ接合太陽電池(IBC-SHJ)の作製を試みた。このn-poly-Siを用いた簡易IBC-SHJセルにおいて、発電性能が確認された。発電特性が低い理由として、光吸収層の亀裂による低い並列抵抗が原因の一つとして考えられる。また、n-a-Siへの過度のドーピングによるオージェ再結合の活性化にともなうライフタイム低下も懸念される。これらの改善により、発電性能のさらなる向上が期待される。