[22p-F408-1~14] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[22p-F408-3] Cat-CVD水素化n-a-Si膜へのFLAにより形成した多結晶Si膜を用いた簡易裏面電極型Siヘテロ接合太陽電池の作製

〇王 崢¹、Tu Huynh Thi Cam¹、大平 圭介¹ (1.北陸先端大)

キーワード：シリコン薄膜

Cat-CVD水素化n-a-Si膜へのFLAにより形成したn-poly-Si膜の可能性を調べるために、簡易裏面電極型Siヘテロ接合太陽電池(IBC-SHJ)の作製を試みた。このn-poly-Siを用いた簡易IBC-SHJセルにおいて、発電性能が確認された。発電特性が低い理由として、光吸収層の亀裂による低い並列抵抗が原因の一つとして考えられる。また、n-a-Siへの過度のドーピングによるオージェ再結合の活性化にともなうライフタイム低下も懸念される。これらの改善により、発電性能のさらなる向上が期待される。