[22p-P02-1~3] 13.6 Nanostructures, quantum phenomena, and nano quantum devices

[22p-P02-2] Study for enhanced THz radiation using InGaSb/InAs heterostructures (II)

〇Yoshiyuki Takagi¹, Takayuki Hasegawa¹, Masatoshi Koyama¹, Toshihiko Maemoto¹, Shigehiko Sasa¹ (1.Osaka Inst. of Tech.)

Keywords:Terahertz, InAs, Heterostructure

InAs系ヘテロ接合を用いた高強度テラヘルツ放射素子の開発を行っている。当初、InAs薄膜をGaAs基板上に成長したものでInAsバルク基板を上回る放射強度得られることを見出した。その後、GaSb/InAsヘテロ接合でInAs薄膜を上回る放射強度を実現できることを報告した。今回はGaSb層をInGaSbに置き換えたヘテロ構造で放射強度のさらなる増大を試みた結果について報告する。