[22p-P02-1~3] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[22p-P02-2] InGaSb/InAs ヘテロ接合を用いた高強度テラヘルツ放射素子の研究（II）

〇高木 善之¹、長谷川 尊之¹、小山 政俊¹、前元 利彦¹、佐々 誠彦¹ (1.大阪工業大学)

キーワード：テラヘルツ、InAs、ヘテロ構造

InAs系ヘテロ接合を用いた高強度テラヘルツ放射素子の開発を行っている。当初、InAs薄膜をGaAs基板上に成長したものでInAsバルク基板を上回る放射強度得られることを見出した。その後、GaSb/InAsヘテロ接合でInAs薄膜を上回る放射強度を実現できることを報告した。今回はGaSb層をInGaSbに置き換えたヘテロ構造で放射強度のさらなる増大を試みた結果について報告する。