[22p-P03-1~23] 17 ナノカーボン(ポスター)

[22p-P03-1] Ir触媒を用いた単層カーボンナノチューブ成長
～オールウェットプロセスによる触媒とAl₂O₃バッファ層の形成～

〇丸山 隆浩^1,2、近藤 秀¹、山本 大貴¹、サラマ カマル¹、才田 隆広^1,2、成塚 重弥¹ (1.名城大理工、2.名城大ナノマテ研)

キーワード：カーボンナノチューブ、CVD、イリジウム

オールウェットプロセスにより形成したIr触媒とアルミナ担持層を用いて，エタノールを原料に用いたCVD法によりSUS箔上に単層カーボンナノチューブ成長を行った。アルミナ担持層は，アルミニウムイソプロポキシドから作製したゾルを，Ir触媒は酢酸イリジウムエタノール溶液を用いて，SUS箔上にディップコーティングにより形成した。本手法により，SUS箔上に直径1.3 nm以下の細径SWCNTを作製することができた。