[22p-P03-1~23] 17 Nanocarbon Technology(Poster)

[22p-P03-13] In-situ XRD analysis of GaN remote epitaxy on graphene grown on c-Al₂O₃

〇(M2)Seiya Fuke¹, Takuo Sasaki², Yoshikazu Kawai¹, Hiroki Hibino¹ (1.Kwansei Gakuin Univ., 2.QST)

Keywords:GaN, graphene, XRD

我々はこれまでに、多結晶グラフェンを転写したc面サファイア基板上でのGaNのリモートエピタキシャル成長を報告しているが、GaNの結晶性の向上や薄膜化に課題があった。そこで本研究では、多結晶グラフェンを直接成長させたc面サファイア基板上で、プラズマ援用分子線エピタキシー法によるGaNの結晶成長をその場X線回折により調べ、転写グラフェンの場合と比較したので報告する。