[22p-P03-1~23] 17 Nanocarbon Technology(Poster)

[22p-P03-16] Controlled growth of h-BN on sapphire substrates using CVD

〇(M2)Yoshiki Harada¹, Ryuto Yagi¹, Yoshikazu Kawai¹, Takuo Sasaki², Hiroki Hibino¹ (1.Kanngaku Univ., 2.QST)

Keywords:h-BN, sapphire

六方晶窒化ホウ素（h-BN）は、2次元物質ベースのエレクトロニクスにおいて、誘電体および基板材料として重要な役割を果たす。ところが、高品質のh-BNを大量に合成することはいまだ困難である。近年、Cu基板上での単結晶h-BNの化学気相成長（CVD）に関する報告があるが、Cu上のh-BN膜は、デバイス作製に転写が不可欠で、それによる損傷や汚染が避けられない。そこで、本発表では、高温低圧（LP）CVDを用いた絶縁体上へのh-BNの直接合成を報告する。