[22p-P03-1~23] 17 ナノカーボン(ポスター)

[22p-P03-16] CVD法を用いたサファイア基板上h-BNの合成制御

〇(M2)原田 哲匡¹、八木 龍斗¹、川合 良知¹、佐々木 拓生²、日比野 浩樹¹ (1.関学大工、2.量研)

キーワード：六方晶窒化ホウ素、サファイア

六方晶窒化ホウ素（h-BN）は、2次元物質ベースのエレクトロニクスにおいて、誘電体および基板材料として重要な役割を果たす。ところが、高品質のh-BNを大量に合成することはいまだ困難である。近年、Cu基板上での単結晶h-BNの化学気相成長（CVD）に関する報告があるが、Cu上のh-BN膜は、デバイス作製に転写が不可欠で、それによる損傷や汚染が避けられない。そこで、本発表では、高温低圧（LP）CVDを用いた絶縁体上へのh-BNの直接合成を報告する。