[22p-P03-1~23] 17 ナノカーボン(ポスター)

[22p-P03-20] 結晶性二硫化タングステン薄膜の低温成長

〇齋藤 修士¹、上野 啓司¹ (1.埼玉大院理工)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、原子層堆積法

6族TMDCの1つであるWS₂は，バンドギャップを持つ半導体層状物質である．ALD法によるWS₂の薄膜成長においては，薄膜を成長させる基板表面に微小な金属膜を堆積させることで，膜成長が促進されることが報告されている．本研究では基板表面に堆積させる金属膜の種類を変え，それぞれの条件で得たWS₂薄膜を比較することで，成長基板上の金属膜がWS₂薄膜成長に与える影響の検証を試みた．