[22p-P03-1~23] 17 Nanocarbon Technology(Poster)

[22p-P03-21] Area-selective growth of crystalline molybdenum disulfide by atomic layer deposition

〇Shinya Yamada¹, Keiji Ueno¹ (1.Saitama Univ.)

Keywords:transition metal dichalcogenide, atomic layer deposition, area-selective deposition

層状遷移金属ダイカルコゲナイドの多くはバンドギャップを持つため、半導体素子への応用が注目されている。さらに近年では、大面積製膜が可能であり、膜厚制御性に優れた原子層堆積法(ALD)を用いた、薄膜の領域選択成長の実現に向けた研究が行われている。本研究では、ALD法を用いて二硫化モリブデン(MoS₂)の薄膜成長を行い、スパッタリングによる基板修飾とアニーリングを利用することで、結晶性 MoS₂薄膜の領域選択的な成長を実現させた。