[22p-P03-1~23] 17 ナノカーボン(ポスター)

[22p-P03-21] 原子層堆積法を用いた結晶性二硫化モリブデンの領域選択成長

〇山田 真矢¹、上野 啓司¹ (1.埼玉大院理工)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、原子層堆積法、領域選択成長

層状遷移金属ダイカルコゲナイドの多くはバンドギャップを持つため、半導体素子への応用が注目されている。さらに近年では、大面積製膜が可能であり、膜厚制御性に優れた原子層堆積法(ALD)を用いた、薄膜の領域選択成長の実現に向けた研究が行われている。本研究では、ALD法を用いて二硫化モリブデン(MoS₂)の薄膜成長を行い、スパッタリングによる基板修飾とアニーリングを利用することで、結晶性 MoS₂薄膜の領域選択的な成長を実現させた。