[22p-P03-1~23] 17 ナノカーボン(ポスター)

[22p-P03-8] アルコールCVD法を用いたGaN上への酸化グラフェン成長

〇薮田 翔平¹、河瀬 流星¹、荒木 努¹、毛利 真一郎¹ (1.立命館大　理工)

キーワード：グラフェン、窒化物半導体、結晶成長

GaNとグラフェンを接合したデバイスの研究が進められているが、転写時の不純物が問題となっている。そこで、本研究では、アルコールCVD法を用いてGaN基板上に直接グラフェン成長を試みた。高波数領域のラマンスペクトルの解析結果から、成長した薄膜が酸化グラフェンと類似の構造を持つことが示唆された。さらに、水素雰囲気化でアニールすることでD/G比がわずかに改善されたことから、還元効果も確認できた。