[22p-P06-1~23] 17 Nanocarbon Technology(Poster)

[22p-P06-14] Effect of plasma irradiation on MoSe₂ FET characteristics

〇Tomohiro Shida¹, Keiji Ueno¹ (1.Saitama Univ.)

Keywords:transition metal dichalcogenide, field effect transistor, phase transition

6族の層状遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)である二セレン化モリブデン(MoSe₂)は、安定な半導体相と準安定な半金属相を有し、プラズマの照射によって半導体相から半金属相へ相転移する。本研究では、アルカリ金属塩をアシスト剤として成長させたMoSe₂薄膜を用いて電界効果トランジスタ(FET)を作製し、H₂/Ar混合ガスプラズマを照射することで、FET特性の影響を評価した。