2022年第69回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

11 超伝導 » 11.2 薄膜,厚膜,テープ作製プロセスおよび結晶成長

[23a-D215-1~10] 11.2 薄膜,厚膜,テープ作製プロセスおよび結晶成長

2022年3月23日(水) 09:00 〜 11:45 D215 (D215)

尾崎 壽紀(関西学院大)、寺西 亮(九大)

11:15 〜 11:30

[23a-D215-9] NbSe3針状結晶から脱カルコゲンによるNbSe2層状結晶の合成

〇坪田 雅功1、伊藤 拓也2、渡邉 匡人2 (1.北九州高専、2.学習院大理)

キーワード:超伝導、遷移金属ダイカルコゲナイド、電荷密度波

針状結晶であるNbSe3からの脱カルコゲン反応によって,層状化合物であるNbSe2を針状化して合成した.晶系や組成比はNbSe2であり,超伝導になることを確認した.結晶表面に微粒子状の結晶成長が観察されたが,その転移温度はバルクの結晶とほぼ同じである7K程度を示し,磁場依存性も層に垂直に磁場を印加したバルクのデータとほぼ一致した.