[23a-E101-1~11] 17.3 層状物質

[23a-E101-2] ナノスケール単層WTe₂デバイスの作製手法の検討

〇細田 雅之^1,2、ディーコン ラッセル¹、ランドル マイケル¹、岡崎 尚太³、笹川 崇男³、谷口 尚⁴、渡邊 賢司⁴、大伴 真名歩²、河口 研一²、土肥 義康²、佐藤 信太郎²、石橋 幸治¹ (1.理研、2.富士通、3.東工大、4.物材機構)

キーワード：WTe2、ナノデバイス、遷移金属カルコゲナイド

遷移金属ダイカルコゲナイドWTe₂は、単層1T'相における2次元トポロジカル絶縁体状態や、電場誘起超伝導状態などの特徴的な物性から注目されている。WTe₂のトポロジカルな特性をデバイス応用につなげることを目指し、微小な単層WTe₂をチャネルとするFET構造を試作し測定した。その結果、ゲート掃引に伴いクーロン障壁に起因する伝導度の振動が見られ、単層WTe₂におけるナノスケールデバイス特有の現象の発現を確認した。