[23a-E101-1~11] 17.3 層状物質

[23a-E101-3] アルミニウムスカンジウム合金をS/D電極に用いたWSe₂ nFETの作製

〇梶川 亮介¹、川那子 高暢²、角嶋 邦之¹、若林 整¹ (1.東工大工、2.東工大未来研)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、二セレン化タングステン、アルミニウムスカンジウム合金