[23a-E106-1~11] 13.9 化合物太陽電池

[23a-E106-3] CIGS太陽電池へのAlO_x裏面パッシベーション構造導入の影響評価

〇上川 由紀子¹、ナルドン マルコ²、柴田 肇¹、石塚 尚吾¹ (1.産総研、2.BGSU)

キーワード：パッシベーション、CIGS、太陽電池

半導体デバイスの特性向上には界面再結合の抑制が不可欠である。CIGS太陽電池では、結晶品質の向上とともに、裏面再結合の影響が大きくなることがデバイスシミュレーションより予測される。本研究では、薄型CIGS太陽電池にAlO_xパッシベーション膜を導入し効果を検討した。裏面再結合の影響が大きい、少数キャリア拡散長＞光吸収層膜厚の条件を満たす光吸収層が薄い構造にて実験を行った結果を発表する。