[23a-E106-1~11] 13.9 Compound solar cells

[23a-E106-7] Widening the Bandgap of SnS for Solar Cell

〇Yelim Song¹, Fumio Kawamura¹, Hidenobu Murata², Hitoshi Tampo³, Takehiko Nagai³, Takashi Koida³, Masataka Imura¹, Naoomi Yamada⁴ (1.NIMS, 2.Osaka Prefecture Univ., 3.AIST, 4.Chubu Univ.)

Keywords:semiconductor, solar cell

Siをボトムセルにしたタンデム型太陽電池作製のためには、トップセル用光吸収層に約1.8 eVのバンドギャップ(E_g)を持つ材料開発が不可欠である。SnSは安価で環境負荷が無いため太陽電池として期待されているものの、E_gが約1.3 eVであるためトップセル材料に適さない。本研究ではSnSにアルカリ土類金属(A. E.)を混晶化することにより、SnSのワイドギャップ化が可能であるか否か検討した。