[23a-E106-1~11] 13.9 化合物太陽電池

[23a-E106-7] 太陽電池用SnSのワイドギャップ化

〇ソン イェリン¹、川村 史朗¹、村田 秀信²、反保 衆志³、永井 武彦³、鯉田 崇³、井村 将隆¹、山田 直臣⁴ (1.物材研、2.大阪府大、3.産総研、4.中部大)

キーワード：半導体、太陽電池

Siをボトムセルにしたタンデム型太陽電池作製のためには、トップセル用光吸収層に約1.8 eVのバンドギャップ(E_g)を持つ材料開発が不可欠である。SnSは安価で環境負荷が無いため太陽電池として期待されているものの、E_gが約1.3 eVであるためトップセル材料に適さない。本研究ではSnSにアルカリ土類金属(A. E.)を混晶化することにより、SnSのワイドギャップ化が可能であるか否か検討した。