[23a-E202-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [23a-E202-1] 半極性(20-21)GaN基板上Eu添加GaN LEDの作製と発光特性評価

〇竹尾 敦志¹、市川 修平^1,2、小林 周平¹、舘林 潤¹、藤原 康文¹ (1.阪大院工、2.阪大超高圧電顕センター)

キーワード：半導体、希土類、LED

我々はこれまでに、有機金属気相成長(OMVPE)法によりEu添加GaN (GaN:Eu)を活性層とした赤色発光ダイオードを実現している。更なる高輝度化に向けて、半極性(20-21)GaN上にGaN:Eu薄膜を結晶成長させることで、高効率発光中心の優先的形成と、発光線幅の先鋭化に成功した。本研究では、GaN:Eu LED構造を作製することで、電流駆動条件下での明瞭な赤色発光を観測し、発光特性の向上を確認した。