[23a-E202-1~10] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [23a-E202-1] Fabrication and optical characterization of Eu-doped GaN LED on semipolar (20-21) GaN substrate

〇Atsushi Takeo¹, Shuhei Ichikawa^1,2, Shuhei Kobayashi¹, Jun Tatebayashi¹, Yasufumi Fujiwara¹ (1.Osaka unv., 2.Research Center for UHVEM, Osaka Univ.)

Keywords:Semiconductor, Rare-earth, LED

我々はこれまでに、有機金属気相成長(OMVPE)法によりEu添加GaN (GaN:Eu)を活性層とした赤色発光ダイオードを実現している。更なる高輝度化に向けて、半極性(20-21)GaN上にGaN:Eu薄膜を結晶成長させることで、高効率発光中心の優先的形成と、発光線幅の先鋭化に成功した。本研究では、GaN:Eu LED構造を作製することで、電流駆動条件下での明瞭な赤色発光を観測し、発光特性の向上を確認した。