[23a-E202-1~10] 15.4 III-V-group nitride crystals

[23a-E202-10] [Highlight]InGaN-based RGB micro-LED arrays by pixelation technique

〇Daisuke Iida¹, Zhe Zhuang¹, Pavel Kirilenko¹, Martin Velazquez-Rizo¹, Kazuhiro Ohkawa¹ (1.KAUST)

Keywords:Micro-LED, InGaN, MOVPE

我々はLEDのピクセル化の手法として選択的なp-GaN層の不活性化に着目し、RGBのInGaN系micro-LEDを試作したので報告する。115 A/cm²の電流密度下において、赤色micro-LEDアレイの発光特性は発光ピーク波長が632 nm、オンウエハ測定での光出力が936 mW/cm²であった。従来報告されている値と比べて大幅な向上が確認できた。