[23a-E202-1~10] 15.4 III-V-group nitride crystals

[23a-E202-2] Investigation of yellow LED using fluorescent emission from InGaN nanocolumns

〇Masato Kabeya¹, Yoshinobu Tomine¹, Hiroki Yasunaga¹, Koyo Mizuguchi¹, Atushi Nishikawa², Alexander Loesing², Hiroto Sekiguchi^1,3 (1.Toyohashi Tech, 2.ALLOS, 3.JST PRESTO)

Keywords:Nanocolumn, GaNLED, epitaxial growth

青色LEDと黄色LEDの集積化に向けて、青色LEDウエハ上にInGaN/GaNナノコラムをエピタキシャル成長させ、LEDウエハデバイスプロセス技術を施した。作製したナノコラムによるPLスペクトルでは目的とする黄色発光が得られた。作製したLEDを10µAで駆動させ、ELスペクトルからはいずれも青色発光が得られたが，ナノコラムがもつLEDは550-650nmの領域の発光が観測された。この結果はInGaNナノコラム蛍光発光を用いた黄色発光LED実現の可能性を示すものである。