[23a-E202-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

[23a-E202-6] [第43回論文奨励賞受賞記念講演] ScAlMgO₄基板上への高In組成InGaN発光素子の作製

〇尾﨑 拓也¹、船戸 充²、川上 養一² (1.日亜化学、2.京大院工)

キーワード：ScAlMgO4、高In組成InGaN

本研究では、これまで緑～赤色の可視長波長領域におけるInGaN系発光デバイスの効率改善を目指し、In組成が約17％のInGaNと格子整合するScAlMgO4基板上への結晶成長に取り組んできた。本基板上に格子整合したInGaN厚膜および量子井戸構造を作製することで従来のGaN/sapphireをベースにした構造と比較して、長波長領域の発光特性が大幅に改善されることを見出した。