[23a-E202-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [23a-E202-8] 垂直性・深度の高いモノリシック型Micro LEDアレイ作製に必要なICPエッチング技術

〇(M1)今泉 雄太¹、ポージン マーク¹、長澤 剛¹、岩谷 素顕¹、竹内 哲也¹、上山 智¹ (1.名城大理工)

キーワード：窒化物半導体、Micro LEDアレイ、ICPエッチング

Micro LEDアレイは液晶、有機ELに次ぐ次世代型高精細・高臨場感ディスプレイとして注目されている。しかし高精細化のためには垂直性が高く且つエッチング深さが深いエッチング技術の開発が必要である。そこで、本実験ではNiとGaNの間にSiO2を全面に蒸着させマスクとして用いることによってよりエッチングの選択比をより高くする方法を検討し、CF4ガスとCl2ガスを用いてGaNを幅1μm、深さ5μmをエッチングを行った。エッチング面をSEMで評価を行った。