[23a-E203-1~11] 17.1 カーボンナノチューブ，他のナノカーボン材料

[23a-E203-2] AlFe₂O₄ナノ粒子を用いたLB膜からの垂直配向CNT成長

〇(DC)櫻井 翔平¹、飯田 真由¹、奥貫 航星²、串田 正人³ (1.千葉大院融、2.千葉大工、3.千葉大院工)

キーワード：垂直配向カーボンナノチューブ、Langmuir-Blodgett膜、金属ナノ粒子合成

垂直配向カーボンナノチューブ (VA-CNT) を固体高分子形燃料電池 (PEFC) に応用する場合、性能を最大化するにはVA-CNTの直径および密度の制御が必要であり、触媒粒子の制御が課題となる。本研究室では、触媒累積法としてLangmuir-Blodgett (LB) 膜を使用することで、基板上触媒粒子およびフィラー分子の累積を制御し、上記条件を満たすVA-CNTの成長制御を試みている。本研究では、粒径が5.1 nmϕのAlFe₂O₄ナノ粒子 (NP) をLangmuir- Blodgett (LB) 法を用いて基板上に累積させ、CVDを行った。その後、VA-CNTをはぎ取った基板を電界放出型走査電子顕微鏡 (FE-SEM) にて観察し、基板上に残ったAlFe₂O₄ナノ粒子の個数密度を調べた。