[23a-E203-1~11] 17.1 カーボンナノチューブ，他のナノカーボン材料

[23a-E203-8] MgOバッファ層を用いたIr触媒からの単層カーボンナノチューブ成長

〇丸山 隆浩^1,2、山本 大貴¹、近藤 秀¹、柄澤 周作¹、サラマ カマル²、才田 隆広^1,2、成塚 重弥¹ (1.名城大理工、2.名城大ナノマテ研)

キーワード：カーボンナノチューブ、CVD、MgO

MgOを触媒担持層として，アルコールCVD法により，Ir触媒を用いた単層カーボンナノチューブ成長を行った。SiO₂上に担持さいた場合に比べ，SWCNTの成長量が増加する様子が見られた。一方，SWCNT直径は1.2 nm程度まで太くなった。