[23a-E204-1~10] 6.3 Oxide electronics

[23a-E204-1] [The 6th Thin Film and Surface Physics Division Paper Award] Thickness Dependence of Electronic and Crystal Structures in VO₂ Ultrathin Films: Suppression of the Cooperative Mott-Peierls Transition

〇Daisuke Shiga^1,2, Billy Yang¹, Naoto Hasegawa¹, Tatsuhiko Kanda¹, Ryosuke Tokunaga¹, Kohei Yoshimatsu¹, Ryu Yukawa², Miho Kitamura², Koji Horiba², Hiroshi Kumigashira^1,2 (1.IMRAM, Tohoku Univ., 2.IMSS, KEK)

Keywords:strongly correlated electron system, metal-insulator transition, photoelectron spectroscopy

VO₂は室温付近で構造相転移を伴った急激な金属-絶縁体転移を示すことから、モットトランジスタのチャネル材料候補として盛んに研究されている。本研究グループは、その場放射光電子分光により、膜厚（次元性）を制御したVO₂極薄膜の電子・結晶構造を決定した。その結果、VO₂の2次元極限においては、「ルチル型モット絶縁体相」といった新たな電子相が発現することを明らかにした。