[23a-E204-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[23a-E204-1] [第6回薄膜・表面物理分科会論文賞受賞記念講演] VO₂極薄膜における電子・結晶構造の膜厚依存性: 協調的モット-パイエルス転移の抑制

〇志賀 大亮^1,2、楊 以理¹、長谷川 直人¹、神田 龍彦¹、德永 凌祐¹、吉松 公平¹、湯川 龍²、北村 未歩²、堀場 弘司²、組頭 広志^1,2 (1.東北大多元研、2.KEK物構研)

キーワード：強相関電子系、金属-絶縁体転移、光電子分光

VO₂は室温付近で構造相転移を伴った急激な金属-絶縁体転移を示すことから、モットトランジスタのチャネル材料候補として盛んに研究されている。本研究グループは、その場放射光電子分光により、膜厚（次元性）を制御したVO₂極薄膜の電子・結晶構造を決定した。その結果、VO₂の2次元極限においては、「ルチル型モット絶縁体相」といった新たな電子相が発現することを明らかにした。