[23a-E204-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[23a-E204-3] 25%Ir置換LSMOエピタキシャル薄膜の特異な電気・磁気特性

〇神永 健一¹、鈴木 貫太¹、丸山 伸伍¹、松本 祐司¹ (1.東北大院工)

キーワード：パルスレーザ堆積法、LSMO、DFT

前回，我々はRuよりもさらに大きなSOIをもつIrで置換した(La,Sr)(Mn,Ir)O₃(LSMIO)エピタキシャル薄膜を実際に作製し, 垂直磁化の発現を初めて報告した．今回，Ir濃度を0%から42%まで変化させたLSMIO薄膜をそれぞれ作製し，詳細なIr濃度と電気・磁気特性の相関を明らかにしたので報告する．